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因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。 [6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。 [6]随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。上海销售二极管厂家现货

反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和比较高反向电压作用***过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流*为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 [4]普陀区质量二极管费用负极，又叫阴极，给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通， 加上反向电压时，二极管截止。

日本工业技术院电子技术综合研究所采用扫描隧道显微镜(STM)成功地制作了线宽为18nm的平面型二极管。日本计划在2010年开发出64吉比特的动态随机存取存储器，而这种二极管的开发为其提供了可能性。采用STM以逐个控制电子、分子，制作***元件的研究工作很活跃，但在事实上制成电子元件，这次还是世界首例，这一成果开拓了实现量子化功能元件的道路，因而引起人们的注目。该元件的要点是STM作为捕获原子的摄子，并作为使其产生化学反应的电极。 [1]

瞬态电压抑制二极管用万用表测量管子的好坏对于单要极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。 [8]对于双向极型的瞬态电压抑制二极管，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。 [8]高频变阻二极管识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环一端为正极。二极管是早诞生的半导体器件之一，其应用。

动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比。 [4]电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。 [4]比较高工作频率比较高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以比较高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。 [4]比较大整流电流比较大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的比较大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141℃左右，锗管为90℃左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管比较大整流电流值。 [4]二极管具有单向导电性能，导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极。浦东新区质量二极管设计

过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小，能保证稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏。上海销售二极管厂家现货

高反向耐压点接触型二极管是比较大峰值反向电压和比较大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。高反向电阻点接触型二极管正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，因此其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗材料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等属于这类二极管。上海销售二极管厂家现货

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