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驱动电路隔离技术一般使用光电耦合器或隔离变压器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作频率及输入阻抗高，容易**扰，故驱动电路应具有良好的电气隔离性能，以实现主电路与控制电路之间的隔离，使之具有较强的抗干扰能力，避免功率级电路对控制信号的干扰。光耦隔离驱动可分为电磁隔离与光电隔离。采用脉冲变压器实现电路的电磁隔离，是一种电路简单可靠，又具有电气隔离作用的电路，但其对脉冲的宽度有较大限制，若脉冲过宽，磁饱和效应可能使一次绕组的电流突然增大，甚至使其烧毁，而若脉冲过窄，为驱动栅极关断所存储的能量可能不够。以MOS管为例，当栅极电压达到一定的阈值时，MOS管会导通；上海优势驱动电路服务热线

光耦的特点光耦基本电路1. 参数设计简单2. 输出端需要隔离驱动电源3. 驱动功率有限磁耦合-变压器隔离受高频调制的单向脉冲变压器隔离电路磁耦合：用于传送较低频信号时—调制/解调磁耦合的特点:1.既可传递信号又可传递功率2.频率越高,体积越小-适合高频应用比较好驱动特性和驱动电流波形比较好驱动1.开通时： 基极电流有快速上升沿和过冲—加速开通，减小开通损耗；2.导通期间：足够的基极电流，使晶体管任意负载饱和导通—低导通损耗；关断前调整基极电流，使晶体管处于临界饱和导通—减小 ， 关断快;上海优势驱动电路服务热线驱动电路是电子设备中的“动力源泉”，它负责将微弱的控制信号转换为强大的驱动信号。

光电隔 离，是利用光耦合器将控制信号回路和驱动回路隔离开。该驱动电路输出阻抗较小，解决了栅极驱动源低阻抗的问题，但由于光耦合器响应速度较慢，因而其开关延迟时间较长，限制了适应频率。典型光耦内部电路图光耦指的是可隔离交流或直流信号KCB EA。1.由IF控制Ic；电流传输比CTR-Current Transfer Ratio2.输入输出特性与普通三极管相似,电流传输比Ic/IF比三极管“β ”小;3.可在线性区， 也可在开关状态。 驱动电路中， 一般工作在开关状态。

Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所给出的测试方法测量出开通能量E，然后再计算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE这种方法虽然准确但太繁琐，一般情况下我们可以简单地利用IGBT数据手册中所给出的输入电容Cies值近似地估算出门极电荷：如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=4.5Cies，门极电荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的输入电容（Cies 可从IGBT 手册中找到）电机驱动电路：直流电机驱动电路、步进电机驱动电路和伺服电机驱动电路，通常需要控制电机的转速和方向。

2)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此，比较好给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5～15 V)，使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。3)具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿。IGBT栅极极限电压一般为+20 V，驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。4)由于IGBT多用于高压场合。要求有足够的输入、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。电机控制：驱动电路可以用来控制各种类型的电机，例如步进电机、直流电机、交流电机等。闵行区通用驱动电路销售厂

LED驱动电路：专门设计用于驱动LED，通常包括恒流源电路，以确保LED在安全的电流范围内工作。上海优势驱动电路服务热线

推挽驱动是两不同极性晶体管输出电路无输出变压器（有OTL、OCL等）。是两个参数相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。如果输出级的有两个三极管，始终处于一个导通、一个截止的状态，也就是两个三级管推挽相连，这样的电路结构称为推拉式电路或图腾柱（Totem- pole）输出电路。当输出低电平时，也就是下级负载门输入低电平时，输出端的电流将是下级门灌入T4；当输出高电平时，也就是下级负载门输入高电平时，输出端的电流将是下级门从本级电源经 T3、D1 拉出。上海优势驱动电路服务热线

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