目前认为溅射现象是弹性碰撞的直接结果,溅射完全是动能的交换过程。当正离子轰击阴极靶,入射离子撞击靶表面上的原子时,产生弹性碰撞,它直接将其动能传递给靶表面上的某个原子或分子,该表面原子获得动能再向靶内部原子传递,经过一系列的级联碰撞过程,当其中某一个原子或分子获得指向靶表面外的动量,并且具有了克服表面势垒(结合能)的能量,它就可以脱离附近其它原子或分子的束缚,逸出靶面而成为溅射原子。ITO薄膜的磁控溅射靶主要分为InSn合金靶、In2O3-SnO2陶瓷靶两类。在用合金靶制备ITO薄膜时,由于溅射过程中作为反应气体的氧会和靶发生很强的电化学反应,靶面覆盖一层化合物,使溅射蚀损区域缩得很小(俗称“靶中毒”),以至很难用直流溅射的方法稳定地制备出高质的ITO膜。陶瓷靶因能抑制溅射过程中氧的选择性溅射,能稳定地将金属铟和锡与氧的反应物按所需的化学配比稳定地成膜,故无中毒现象,工艺窗口宽,稳定性好。电子束蒸发:将蒸发材料置于水冷坩埚中,利用电子束直接加热使蒸发材料汽化并在衬底上凝结形成薄膜。河北ITO镀膜真空镀膜
LPCVD设备中较新的是垂直式LPCVD设备,因为其具有结构紧凑、气体分布均匀、薄膜厚度一致、颗粒污染少等优点。垂直式LPCVD设备可以根据不同的气体流动方式进行分类。常见的分类有以下几种:(1)层流式垂直LPCVD设备,是指气体从反应室下方进入,沿着垂直方向平行流动,从反应室上方排出;(2)湍流式垂直LPCVD设备,是指气体从反应室下方进入,沿着垂直方向紊乱流动,从反应室上方排出;(3)对流式垂直LPCVD设备,是指气体从反应室下方进入,沿着垂直方向循环流动,从反应室下方排出。真空镀膜价格真空镀膜设备需精确控制温度和压力。
LPCVD的关键硬件主要包括以下几个部分:反应器:LPCVD反应器是用于进行LPCVD制程的主要设备,它由一个密封的容器和一个加热系统组成。根据反应器的形状和加热方式的不同,LPCVD反应器可以分为水平管式反应器、垂直管式反应器、单片反应器等。水平管式反应器是一种常用的LPCVD反应器,它由一个水平放置的石英管和一个螺旋形的电阻丝加热系统组成,可以同时处理多片衬底,具有较高的生产效率和较好的沉积均匀性。垂直管式反应器是另一种常用的LPCVD反应器,它由一个垂直放置的石英管和一个电磁感应加热系统组成,可以实现更高的沉积温度和更快的沉积速率,适用于高温沉积材料。
LPCVD设备的设备构造主要包括以下几个部分:真空系统、气体输送系统、反应室、加热系统、温度控制系统、压力控制系统、流量控制系统等。LPCVD设备的发展趋势主要有以下几点:(1)为了降低衬底材料的热损伤和热预算,提高沉积速率和产能,开发新型的低温LPCVD方法,如等离子体增强LPCVD(PE-LPCVD)、激光辅助LPCVD(LA-LPCVD)、热辐射辅助LPCVD(RA-LPCVD)等;(2)为了提高薄膜材料的质量和性能,开发新型的高纯度和高结晶度的LPCVD方法,如超高真空LPCVD(UHV-LPCVD)、分子束外延LPCVD(MBE-LPCVD)、原子层沉积LPCVD(ALD-LPCVD)等;(3)为了拓展薄膜材料的种类和功能,开发新型的复合和异质的LPCVD方法,如多元化合物LPCVD、纳米结构LPCVD、量子点LPCVD等。镀膜层能有效提升产品的化学稳定性。
首先,通过一个电子枪生成一个高能电子束。电子枪一般包括一个发射电子的热阴极(通常是加热的钨丝)和一个加速电子的阳极。电子枪的工作是通过电场和磁场将电子束引导并加速到目标材料。电子束撞击目标材料,将其能量转化为热能,使目标材料加热到蒸发温度。蒸发的材料原子或分子在真空中飞行到基板表面,并在那里冷凝,形成薄膜。因为这个过程在真空中进行,所以蒸发的原子或分子在飞行过程中基本不会与其他气体分子相互作用,这有助于形成高质量的薄膜。与其他低成本的PVD工艺相比,电子束蒸发还具有非常高的材料利用效率。电子束系统加热目标源材料,而不是整个坩埚,从而降低了坩埚的污染程度。通过将能量集中在目标而不是整个真空室上,它有助于减少对基板造成热损坏的可能性。可以使用多坩埚电子束蒸发器在不破坏真空的情况下应用来自不同目标材料的几层不同涂层,使其很容易适应各种剥离掩模技术。镀膜后的表面具有优良的反射性能。佛山真空镀膜机
真空镀膜能赋予材料特殊的光学性能。河北ITO镀膜真空镀膜
LPCVD设备的工艺参数还需要考虑以下几个方面的因素:(1)气体前驱体的纯度和稳定性,影响了薄膜的杂质含量和沉积速率;(2)气体前驱体的分解和聚合特性,影响了薄膜的化学成分和结构形貌;(3)反应了室内的气体流动和分布特性,影响了薄膜的厚度均匀性和颗粒污染;(4)衬底材料的热膨胀和热应力特性,影响了衬底材料的形变和开裂;(5)衬底材料和气体前驱体之间的相容性和反应性,影响了衬底材料和薄膜之间的界面反应和相变。河北ITO镀膜真空镀膜