深圳市芯技科技有限公司2025-06-29
载流子注入:发射结正偏扩散电子,集电结反偏收集,芯技高频管fT>8GHz
电流控制:IC=β×IB,芯技功率管β=20-200
能带理论:基区窄带隙形成势垒,芯技SiGe HBT优化带隙
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