杭州博测材料科技有限公司2025-08-08
直流GD-OES/MS:
必须为导体(电阻率<0.1 Ω·cm)。
金属/合金(钢、铝、铜等):直接分析,溅射稳定;
半导体(硅、锗):需高功率(>40 W)维持放电;
绝缘体(陶瓷、玻璃、塑料):需射频模式(RF-GD)或表面镀导电膜(金/石墨层>50 nm)。
射频GD:
可分析绝缘体,但要求:
厚度>100 μm(避免击穿);
表面平整(粗糙度<1 μm),否则自偏压不均导致溅射坑畸变。
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