氧化退火炉中的 “边缘效应” 如何影响半导体器件？

赛瑞达智能电子装备（无锡）有限公司2025-06-17

炉管边缘硅片因温度与中心存在差异（偏差＞2℃），导致氧化层厚度或掺杂激其活不均匀，引发芯片边缘器件性能离散。现代炉管通过气流模拟和多区加热补偿边缘效应。

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简介：赛瑞达成立于2021年，专注于半导体设备的研发、生产与销售。公司位于无锡，致力于提供定制化解决方案。

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